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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。63565-49￥26.629250-199￥25.4912200-499￥24.8539500-999￥24.69461000-2499￥24.53532500-4999￥24.35325000-7499￥24.2394≥7500￥24.1256 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。842710-99￥10.1640100-499￥9.6558500-999￥9.31701000-1999￥9.30012000-4999￥9.23235000-7499￥9.14767500-9999￥9.0798≥10000￥9.0460 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDY1002PZ, 830 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装17645-24￥1.741525-49￥1.612550-99￥1.5222100-499￥1.4835500-2499￥1.45772500-4999￥1.42555000-9999￥1.4126≥10000￥1.3932 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。29355-24￥3.699025-49￥3.425050-99￥3.2332100-499￥3.1510500-2499￥3.09622500-4999￥3.02775000-9999￥3.0003≥10000￥2.9592 -
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品类: MOS管描述: 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET300110-99￥8.6520100-499￥8.2194500-999￥7.93101000-1999￥7.91662000-4999￥7.85895000-7499￥7.78687500-9999￥7.7291≥10000￥7.7003 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。90645-49￥14.355950-199￥13.7424200-499￥13.3988500-999￥13.31301000-2499￥13.22712500-4999￥13.12895000-7499￥13.0676≥7500￥13.0062 -
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品类: MOS管描述: 集成的N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode54365-24￥3.523525-49￥3.262550-99￥3.0798100-499￥3.0015500-2499￥2.94932500-4999￥2.88415000-9999￥2.8580≥10000￥2.8188 -
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品类: MOS管描述: FDMC2523P 系列 150 V 1.5 Ohm 表面贴装 P 沟道 QFET - Power33285610-99￥6.7440100-499￥6.4068500-999￥6.18201000-1999￥6.17082000-4999￥6.12585000-7499￥6.06967500-9999￥6.0246≥10000￥6.0022 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA530PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2969110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: N沟道 50V 220mA928420-49￥0.067550-99￥0.0625100-299￥0.0600300-499￥0.0580500-999￥0.05651000-4999￥0.05555000-9999￥0.0545≥10000￥0.0535 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 250 V, 0.318 ohm, 10 V, 4 V100110-99￥8.0640100-499￥7.6608500-999￥7.39201000-1999￥7.37862000-4999￥7.32485000-7499￥7.25767500-9999￥7.2038≥10000￥7.1770 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NDC7002N, 510 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-23封装95585-24￥1.444525-49￥1.337550-99￥1.2626100-499￥1.2305500-2499￥1.20912500-4999￥1.18245000-9999￥1.1717≥10000￥1.1556 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装24765-24￥3.982525-49￥3.687550-99￥3.4810100-499￥3.3925500-2499￥3.33352500-4999￥3.25985000-9999￥3.2303≥10000￥3.1860 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V16415-24￥1.836025-49￥1.700050-99￥1.6048100-499￥1.5640500-2499￥1.53682500-4999￥1.50285000-9999￥1.4892≥10000￥1.4688 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS351AN, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装724310-49￥1.161050-99￥1.1008100-299￥1.0578300-499￥1.0320500-999￥1.00621000-2499￥0.98042500-4999￥0.9417≥5000￥0.9331 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3Pin(2+Tab) DPAK79915-24￥2.308525-49￥2.137550-99￥2.0178100-499￥1.9665500-2499￥1.93232500-4999￥1.88965000-9999￥1.8725≥10000￥1.8468 -
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 100V 17A623620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 100V 57A77005-49￥12.402050-199￥11.8720200-499￥11.5752500-999￥11.50101000-2499￥11.42682500-4999￥11.34205000-7499￥11.2890≥7500￥11.2360 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8960C 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V346810-99￥7.5960100-499￥7.2162500-999￥6.96301000-1999￥6.95032000-4999￥6.89975000-7499￥6.83647500-9999￥6.7858≥10000￥6.7604 -
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品类: MOS管描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V73595-24￥3.159025-49￥2.925050-99￥2.7612100-499￥2.6910500-2499￥2.64422500-4999￥2.58575000-9999￥2.5623≥10000￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86244 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 150 V, 0.106 ohm, 10 V, 3.1 V93175-24￥2.268025-49￥2.100050-99￥1.9824100-499￥1.9320500-2499￥1.89842500-4999￥1.85645000-9999￥1.8396≥10000￥1.8144 -
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。684210-99￥11.8560100-499￥11.2632500-999￥10.86801000-1999￥10.84822000-4999￥10.76925000-7499￥10.67047500-9999￥10.5914≥10000￥10.5518 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。689010-99￥8.7480100-499￥8.3106500-999￥8.01901000-1999￥8.00442000-4999￥7.94615000-7499￥7.87327500-9999￥7.8149≥10000￥7.7857 -
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品类: MOS管描述: 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET684010-99￥6.2760100-499￥5.9622500-999￥5.75301000-1999￥5.74252000-4999￥5.70075000-7499￥5.64847500-9999￥5.6066≥10000￥5.5856 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V599010-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。79435-24￥2.997025-49￥2.775050-99￥2.6196100-499￥2.5530500-2499￥2.50862500-4999￥2.45315000-9999￥2.4309≥10000￥2.3976 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V92645-24￥2.268025-49￥2.100050-99￥1.9824100-499￥1.9320500-2499￥1.89842500-4999￥1.85645000-9999￥1.8396≥10000￥1.8144 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V98475-24￥2.389525-49￥2.212550-99￥2.0886100-499￥2.0355500-2499￥2.00012500-4999￥1.95595000-9999￥1.9382≥10000￥1.9116 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。69181-9￥240.982510-49￥234.696050-99￥229.8764100-199￥228.2000200-499￥226.9427500-999￥225.26631000-1999￥224.2185≥2000￥223.1708 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA7632 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.1 V56385-24￥4.090525-49￥3.787550-99￥3.5754100-499￥3.4845500-2499￥3.42392500-4999￥3.34825000-9999￥3.3179≥10000￥3.2724
